Настоящий том посвящен учению о симметрии кристаллов, которое является теоретической основой кристаллографии, и изложению методов анализа атомной структуры кристаллов. Вначале вводятся основные понятия кристаллографии, рассматриваются общие характеристики кристаллического состояния вещества — макроскопические и микроскопические (определяемые решетчатым строением). Учение о симметрии излагается па основе теории групп. Анализируются точечные группы симметрии, группы стержней и слоев, пространственные группы. Рассматриваются обобщения симметрии: антисимметрия и цветная симметрия. Дается геометрическая теория описания конечного кристалла и кристаллической решетки. Изложены физические принципы и основы математического аппарата структурного анализа кристаллов. Описаны методы изучения атомного строения кристаллического вещества: рентгеноструктурный анализ, электронография, нейтронография, электронная микроскопия. Книга рассчитана на научных сотрудников, специалистов-практиков и производственников: кристаллографов, физиков, химиков, минералогов, инженеров, использующих методы и аппарат кристаллографии, а также студентов старших курсов и аспирантов.Год издания: 1979Формат: djvuЯзык: ruРазмер: 7392 KbСкачиваний: 418

Настоящий том посвящен описанию атомного (идеального) строения кристаллов, электронной структуры и динамики решетки, реальной структуры кристаллов с ее разнообразными дефектами. Излагаются основы теории химической связи между атомами, рассматриваются геометрические представления в теории кристаллической структуры и кристаллохимии, энергия решетки. Описываются важнейшие классы кристаллических структур неорганических и органических соединений, а также строение полимеров, жидких кристаллов, биологических кристаллов и макромолекул. Даны основы электронной теории кристаллической решетки, позволяющие классифицировать кристаллы по их энергетическому спектру. Рассматриваются динамика решетки и фазовые переходы. Изложены представления о реальной структуре кристаллов с ее различными термодинамически равновесными и неравновесными нарушениями, проанализированы и математически описаны все типы дефектов, особое внимание уделено теории дислокаций. Книга рассчитана на научных сотрудников, специалистов-практиков и производственников: физиков, химиков, кристаллографов, минералогов, инженеров, изучающих кристаллы и использующих методы и аппарат кристаллографии, а также студентов старших курсов и аспирантов.Год издания: 1979Формат: djvuЯзык: ruРазмер: 8092 KbСкачиваний: 448

Третий том посвящен научным и практическим вопросам образования кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетика послойного и нормального роста; морфология поверхностей; влияние примесей на процессы роста и захват примесей; устойчивость фронта кристаллизации; образование дефектов при кристаллизации — захват включений, образование дислокаций и остаточных напряжений; массовая кристаллизация и созревание в дисперсных кристаллических системах.Во второй части книги систематически изложены основы всех методов выращивания кристаллов, получивших достаточно широкое распространение в промышленной и лабораторной практике: отдельно рассмотрены физические и химические методы выращивания из газовой фазы, методы выращивания из низкотемпературных водных растворов, из гидротермальных растворов, из растворов в высокотемпературных расплавах, методы выращивания из расплавов, в том числе при высоких температурах. Описаниям всех методов предпослан анализ их физико-химических основ. Для каждого из методов приведены характерные примеры его применения, разобраны важнейшие характеристики кристаллов, связанные с условиями их получения, диагностика дефектов в кристаллах п некоторые пути управления ростом и реальной структурой кристаллов. Изложены основные принципы выбора подходящей методики для практического выращивания кристаллов с теми или иными свойствами. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1980 года (издательство "Наука"). Год издания: 1980Формат: djvuЯзык: ruРазмер: 8334 KbСкачиваний: 346

Том посвящен изложению физических свойств кристаллов на основе учения о кристаллофизике.Вначале вводится тензорный аппарат кристаллофизики и рассматриваются общие вопросы симметрии физических свойств кристаллов. Далее рассматриваются механические (упругие свойства, пластическая деформация, механическое двойникование, разрушение), электрические. магнитные, полупроводниковые и оптические свойства кристаллов. Изложены явления переноса в процессах электро- и теплопроводности, а также термоэлектрические, гальвано- и термомагнитные явления в кристаллах. Описаны физические свойства жидких кристаллов. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1981 года (издательство "Наука"). Год издания: 1981Формат: djvuЯзык: ruРазмер: 9188 KbСкачиваний: 369